關鍵字：膠體分散穩定性
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CMP 漿料的品質管理當我們能在一塊小小的晶片上放入更多更小的電晶體，晶片所能執行的運算就會更加的快速且複雜。在現今的積體電路加工產業，要想將晶片做到細緻的加工，傑出的光刻技術、封裝技術、新穎材料都至關重要 —— 建立在這些基礎上，從一塊晶圓開始慢慢搭建一層一層的電晶體，過程中我們必須確保在每一層的加工後能夠將多餘的部分完美切削研磨，形成足夠平坦的面才能再進行下一步的加工 —— 不夠完美的研磨，可能造成技術與材料的浪費。本篇文章將深入探討在晶圓加工上的重要環節「化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)」。化學機械平坦化意即通過使用研磨漿料 (以下統稱CMP Slurry) 對晶圓進行打磨使其平坦化以利加工，而漿料又會再細分成「介電層研磨液」或是「金屬研磨液」，兩者在磨料的選擇上會有所區隔，並且分散相的酸鹼值也會因應調整，有時更需要添加額外的化學試劑以達特定目的 (eg. 添加氧化劑來加速金屬氧化)。這些成份複雜且需要精準控制的CMP Slurry若是品質稍有差池，就會影響晶圓加工的良率，本篇文章將整理三點CMP Slurry的指標參數及其在品質管理上為何能成為關鍵的原因。
皮克林乳液的評估：物理穩定性測量皮克林乳液的應用在眾多領域中引起了人們的高度興趣，如藥物傳輸系統、囊泡、反應性材料、多孔材料、催化促進劑、以及在化妝品中，這是因為皮克林乳液與由界面活性劑穩定的系統相比具有更強的穩定性。它們還提供許多有益的特性：較低的刺激性、環境友善、碳足跡減少。本篇文章將介紹一項皮克林乳液在製藥領域中應用的研究結果，在製藥領域，不包含界面活性劑的乳液對於避免皮膚刺激、溶血反應和蛋白質變性非常有幫助。
高低分子量的差異：CMP Slurry 的穩定性化學機械研磨(CMP)在半導體製造用於平坦化晶圓表面，對氧化膜具有高拋光效率的氧化鈰(IV)或稱為二氧化鈰常用於CMP，但其顆粒易快速沉澱和聚集，影響穩定性，導致研磨過程中產生磨損刮痕。為解決此問題，有必要調整鈰懸浮液漿料的配方以滿足CMP應用的穩定性要求需調整漿料配方。聚合物分散劑通過增加顆粒立體障礙的方式來穩定鈰顆粒，不同分子量的分散劑對穩定效果有不同影響。本研究使用Turbiscan LAB 分析三種不同分子量分散劑的鈰懸浮液，高分子量分散劑能更有效地穩定鈰懸浮液，減少顆粒沉降，顯示最佳穩定性；低分子量分散劑效果最差。較長的聚合物鏈促進更好的立體排斥，提升穩定性。
膠體分散穩定性分析攻略：Microtrac (Formulaction) 機型分析原理與挑選指南Microtrac (Formulaction) TURBISCAN 系列儀器，透過靜態多重光散射 (SMLS) 的運作原理，精準測量膠體分散穩定性，是配方開發、品質管理、法律合規、產品保存過程中的可靠助手。本文首先將帶您了解儀器量測的原理與應用，再提供產品優勢簡介與差異比對。